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L’intelligence artificielle ne consomme pas seulement des puces de calcul : elle dévore aussi de l’électricité. Et c’est précisément sur ce front que la Chine veut prendre position. Alors que les centres de données montent en puissance et mettent les réseaux électriques sous tension, plusieurs industriels chinois se repositionnent sur un maillon moins médiatique mais stratégique : les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium, ou SiC.

Le dossier prend de l’ampleur avec Basic Semiconductor, société de Shenzhen engagée vers une introduction en Bourse à Hong Kong. L’entreprise illustre une tendance plus large : la volonté chinoise de remonter la chaîne de valeur des infrastructures IA, non seulement sur le calcul, mais aussi sur l’alimentation électrique et l’efficacité thermique.
Le SiC présente des atouts de plus en plus décisifs pour les futures architectures de centres de données : meilleure résistance à la chaleur, capacité à gérer des tensions plus élevées, rendement énergétique supérieur. Dans les nouvelles générations de racks, notamment autour des architectures 800 volts, ces composants pourraient gagner rapidement du terrain. L’enjeu n’est pas marginal : à mesure que les fermes de GPU grossissent, la bataille se joue aussi dans les convertisseurs, les modules de puissance et le coût de l’énergie dissipée.
Le potentiel de marché est réel, mais l’euphorie n’efface pas les fragilités. Le secteur chinois fait déjà face à une surcapacité relative, à une guerre des prix et à des coûts d’expansion très lourds. Autrement dit, la promesse industrielle existe, mais elle n’assure pas encore la rentabilité.
Cette séquence est néanmoins révélatrice : la compétition mondiale autour de l’IA déborde désormais largement des modèles et des GPU. Elle se joue aussi dans les matériaux, l’électronique de puissance et la capacité à rendre soutenable l’économie énergétique du calcul intensif.
Média : South China Morning Post
Article d’origine : As AI pushes data centres to breaking point, some Chinese chipmakers bet on SiC
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